QSPI常见问题
1. QSPI支持的最大频率是多少？
QSPI模块支持的最大频率是系统最高频率的二分之一，支持的分频系数为2～65535之间的偶数，不支持奇数分频。
各款芯片QSPI模块的最大频率支持如下：
GR551x全系列芯片最高主频为64 MHz，QSPI的最大工作频率为 32 MHz，时钟源为系统时钟。
GR5525全系列芯片最高主频为96 MHz，QSPI的最大工作频率为 48 MHz，时钟源为外设时钟。
GR5526全系列芯片最高主频为96 MHz，QSPI的最大工作频率为 48 MHz，时钟源为外设时钟。
GR533x全系列芯片最高主频为64 MHz，QSPI的最大工作频率为 32 MHz，时钟源为外设时钟。
2. QSPI工作模式介绍
按照QSPI工作时需要的数据线划分，QSPI可配置工作在SPI、Dual SPI、Quad SPI模式下；其中SPI模式和SPI Master模块的工作模式类似。
QSPI模块下，Dual SPI和Quad SPI模式又被称为Enhanced SPI模式。GR5525和GR5526扩展了Enhanced SPI模式的能力，支持Memory Map，可将挂载到QSPI接口的NOR Flash和QSPI PSRAM存储设备映射到系统的总线地址空间，使用Memory Map模式进行访问。而传统的基于API访问外设的方式，称作寄存器工作模式。
关于工作模式更详细的介绍，请参考《GR5525刷屏指南》/《GR5526刷屏指南》。
3. 使用Memory Map模式访问外部Flash时，数据端序异常是什么原因？
对于GR5525和GR5526芯片，对Memory Map方式增加了灵活端序模式，允许用户根据自己的需要，配置数据的读出端序。这种情况就是期望的数据端序和配置的端序不匹配导致的。请参考《GR5525刷屏指南》/《GR5526刷屏指南》关于QSPI Memory Map模式下数据端序配置的描述。在访问数据前，使用驱动接口app_qspi_mmap_set_endian_mode配置期望的数据端序。
4. 使用传统API接口（非Memory Map方式）读取外部Flash，数据和期望的数据端序不一致，该如何处理？
请参考《GR5525刷屏指南》/《GR5526刷屏指南》关于读写端序的描述，应该是数据的写入和读出使用了不匹配的传输宽度导致的逆序。请尝试调整DMA数据传输宽度来修改数据端序行为。比如：
使用8 bit传输宽度模式导致2字节的逆序行为，可以尝试将传输宽度调整为16 bit（或反之）。
5. 如何支持QSPI模块使用Memory Map模式，访问大于16 MB 4字节地址的Flash？
app_qspi驱动预置了Flash常用3字节地址（最大寻址范围16 MB）的读取指令，如果用户需要扩展4字节的读取指令，可参考下述定义进行。以GD25Q256E芯片的EBH指令为例：
时序格式为：
指令EBH长度1字节，通过单线模式发送。
地址长度4字节，通过Quad模式发送。
模式位占用2个时钟，但不需要启用，归为Dummy域。
Dummy域4个时钟加模式位占用的2个时钟，共6个时钟。
其他为数据域。
用户扩展定义指令的方法：
在_app_qspi.h_枚举类型app_qspi_flash_mmap_rd_cmd_e下添加自定义枚举值FLASH_MMAP_CMD_4READ_EBH_32：
typedef enum { FLASH_MMAP_CMD_DREAD_3BH = 0x00, /**< 3BH in Dual */ FLASH_MMAP_CMD_2READ_BBH = 0x01, /**< BBH in 2Read */ FLASH_MMAP_CMD_2READ_BBH_SIOO = 0x02, /**< BBH in 2Read with SIOO mode */ FLASH_MMAP_CMD_QREAD_6BH = 0x03, /**< 6BH in QRead */ FLASH_MMAP_CMD_4READ_EBH = 0x04, /**< EBH in 4Read */ FLASH_MMAP_CMD_4READ_EBH_SIOO = 0x05, /**< EBH in 4Read with SIOO mode */ FLASH_MMAP_CMD_4READ_EBH_32 = 0x06, /**< ECH in 4Read with 32 bits address mode */ FLASH_MMAP_CMD_READ_MAX, } app_qspi_flash_mmap_rd_cmd_e;
在_app_qspi.c_文件结构体变量增加指令定义，注意添加位置和枚举值的索引值保持一致。
const qspi_memorymapped_t g_flash_typical_mmap_read_cmd[FLASH_MMAP_CMD_READ_MAX] = { //…}, [FLASH_MMAP_CMD_4READ_ECH_32] = { .x_endian_mode = QSPI_CONCURRENT_XIP_ENDIAN_MODE_0, .x_prefetch_en = QSPI_CONCURRENT_XIP_PREFETCH_DISABLE, .x_continous_xfer_en = QSPI_CONCURRENT_XIP_CONT_XFER_DISABLE, .x_instruction_en = QSPI_CONCURRENT_XIP_INST_ENABLE, .x_instruction_size = QSPI_CONCURRENT_XIP_INSTSIZE_8BIT, .x_address_size = QSPI_CONCURRENT_XIP_ADDRSIZE_32BIT, .x_inst_addr_transfer_format = QSPI_CONCURRENT_XIP_INST_IN_SPI_ADDR_IN_SPIFRF, .x_mode_bits_en = QSPI_CONCURRENT_XIP_MODE_BITS_DISABLE, .x_mode_bits_length = QSPI_CONCURRENT_XIP_MBL_8, .x_mode_bits_data = 0x00, .x_dummy_cycles = 6, .x_continous_xfer_toc = 0, .x_sioo_mode = QSPI_CONCURRENT_XIP_INST_SENT_EVERY_ACCESS, .x_data_frame_format = QSPI_CONCURRENT_XIP_FRF_QUAD_SPI, .x_instruction = 0xEB, } };在Flash的Memory Map模式初始化时，读指令引用上述定义的指令进行初始化即可。
6. 使用SDK的QSPI示例工程访问Flash失败，为什么？
注意检查示例工程的QSPI实例配置和实际硬件Flash连接是否匹配。
SDK提供的示例工程适配了常见的Flash驱动。如果测试的Flash不是适配的Flash型号，请检查Flash的Datasheet，是否和参考驱动兼容；如果不兼容，请自行进行适配。
如果硬件环境恶劣，比如飞线等场景，尝试降低Flash通讯频率。
检查驱动配置的时钟模式是否和Flash支持的时钟模式匹配。
此外，还可以使用逻辑分析仪抓取访问Flash时序信号进行分析。
7. QSPI外设有哪些参考程序？
工程${SDK}/projects/peripheral/qspi/app_qspi提供了一个app_qspi驱动访问NOR Flash的应用参考，可以在SDK配套的SK板运行。用户可通过这个示例工程，了解QSPI APP接口的初步使用。
此外，针对GR5525和GR5526，在路径${SDK}/components/drivers_ext/qspi_device下提供了如下QSPI外设的驱动参考。用户可根据产品的具体情况进行参考和二次开发。
amo139_display_454.c/.h：基于型号 FLS-AMO139WV334 , 分辨率454x54, 驱动IC SH8601A 的显示屏开发.
qspi_flash.c/.h：兼容PUYA、XTX等多款市面常用NOR Flash的驱动参考
qspi_nand_flash.c/.h：基于NAND Flash DOSILICON.DS35的驱动参考
qspi_psram.c/.h：基于APMemory QSPI接口的PSRAM驱动参考
qspi_screen_390.c/.h：基于鑫世界RM69330的显示屏驱动参考，适配了390p和454p分辨率