最小系统应用笔记

1. GR5xx最小系统介绍

  • GR551x电源介绍

    • GR5551x系列芯片通过引脚VBATL/VBAT_RF外接电源供电，供电范围为 2.2 V～3.8 V。

  • GR5525电源介绍

    • GR5525系列芯片通过引脚VBATL/VBAT_RF外接电源供电，供电范围为 2.4 V～3.8 V。

  • GR533x电源介绍

    • GR533x系列芯片通过引脚VBATL/VBAT_RF外接电源供电，供电范围为 2.0 V～3.63 V。

    • GR533x支持SYSLDO和DCDC两种供电模式。

  • GR5526电源介绍

    • GR5526系列芯片通过引脚VBATL/VBAT_RF外接电源供电，供电范围为 2.4 V～4.35 V。

  • GR5xx系列芯片建议均采用单独LDO/DCDC供电。

  • GR5xx系列芯片外接电池不支持缓慢充电，需要使用带路径管理的Charger或使用外部电路实现充电路径管理。

  • GR5xx系列芯片上电时序为当CHIP_EN在上电后达到1 V时，VBATL需高于其工作电压，且VDDIO不可先于VBATL上电。

  • GR5xx系列电源PIN脚介绍

    • VSW：DC-DC开关电源的输出引脚。

    • VREG：DC-DC开关电源输出电压的反馈引脚。

    • 片内DC-DC转换器，为RF模拟模块与芯片Core LDO供电。在睡眠时系统会关闭此电源以节省功耗。

    • VDD_VCO：内部VCO供电引脚，由片上DC-DC供电，通过外部走线连接，某些芯片没有这个脚，是在芯片内部和VDD-RF合封在一起。

    • VDD_AMS：内部模拟部分的供电引脚 ，由片上DC-DC 供电，通过外部走线连接，某些芯片没有这个脚，是在芯片内部和VDD-RF合封在一起。

    • VDD_RF：内部射频部分的供电引脚，由片上DC-DC供电，通过外部走线连接。

    • VDD_DIGCORE_1V：为数字内核逻辑供电，是Digital LDO的输出引脚，由片上DC-DC供电，在睡眠时系统会关闭此电源以节省功耗。

    • VDDIO0：IO0电压域供电输入引脚、内部Flash供电引脚，可由VIO_LDO_OUT或者外部稳压器供电，没有这个PIN脚的芯片，其在片内与VIO_LDO_OUT内部连接。

    • VDDIO1：IO1电压域供电输入引脚，可由VIO_LDO_OUT或者外部稳压器供电。

    • VIO_LDO_OUT：IO LDO输出引脚，给内部Flash提供电源，也可以外接给VDDIO1供电。

    • VBATT_RF：RF供电输入引脚，连接至VBATL引脚。

  • GR5xx时钟介绍

    • GR5xx系列芯片的系统时钟源由外部32 MHz晶振产生。32 MHz晶振负载电容须满足6 pF～8 pF。芯片内部集成负载电容。

    • GR5xx系列芯片的RTC时钟源由外部的32.768 kHz晶振产生。32.768 kHz晶振负载电容须满足6 pF～9 pF，芯片内部集成负载电容。

  • GR5xx烧录接口介绍

    • GR5xx系列芯片的量产烧录接口为SWDCLK、SWDIO、CLK_TRIM（除了MSIO外的任意GPIO）、GND、VBAT。

    • 若有外部看门狗芯片，需要在烧录接口中预留出看门狗的使能信号或喂狗信号。

    • GR531x系列芯片，如果需要烧录eFuse信息，则需要多一个MSIO7。

2. GR5xx最小系统应用笔记

  • GR551x VDDIO电压注意事项

    • GR551x VDDIO1可以使用1.8 V～3.3 V电压输入，当外部输入VDDIO1电压时，要注意不能超过电源Vbatl的输入电压。

  • GR551x因VDDIO0需要给Flash供电，各个型号VDDIO0电压有所区别，如下所列：

    • GR5515IGND、GR5515RGBD、GR5515GGBD、GR5513BEND只能使用1.8 V电压输入。

    • GR5515I0ND只能使用3.3 V电压输入。

    • GR5515IENDU、GR5515I0NDA、GR5513BENDU可以使用1.8 V～3.3 V电压输入。

    • 当外部输入VDDIO0电压时，要注意不能超过电源Vbatl的输入电压。

  • GR533x电源应用注意事项

    • GR533x只使用SYSLDO供电时外围BOM可以直接删除VSW脚连接的9.1 nH和2.2 μH电感物料。

    • GR533x使用HPA时只能使用SYSLDO供电模式。

    • GR533x IO_LDO有两个：ANA_IO_LDO和STB_IO_LDO。ANA_IO_LDO最大驱动能力30 mA，STB_IO_LDO最大驱动能力1 mA。在睡眠时切换到STB_IO_LDO有助于减小睡眠功耗，但是有外设需要IO_LDO供电的情况下，注意STB_IO_LDO带载能力是否满足外设需求。

    • 当GR533x作为从机（Slave）工作时，当CHIP_EN被拉低后，输入电源不要与芯片VBATL供电端断开，否则GR533x的I/O状态可能会失控并被迫输出高电平。

  • GR5526电源应用注意事项

    • VDDIO1给内部PSRAM供电，不同型号对应的电压不同，如下所列：

      • GR5526VGBIP、GR5526RGNIP只能使用1.8 V电压输入。

      • GR5526VGBI、GR5526RGNI可以使用1.8 V～3.3 V电压输入。

    • VDDIO0电压供电要求

      • 可以使用1.8 V～3.3 V电压输入，当外部输入VDDIO0电压时，要注意不能超过电源Vbatl的输入电压。

  • GR5525电源应用注意事项

    • GR5525系列芯片建议在VBATL引脚并联一个TVS管（推荐：µClamp03301ZA），用于提高系统的EOS能力。

    • 当GR5525作为从机（Slave）工作时，当CHIP_EN被拉低后，输入电源不要与芯片VBATL供电端断开，否则GR5525的I/O状态可能会失控并被迫输出高电平。

  • 其他待补充点