RF应用笔记
1. GR5xx RF介绍
GR551x系列芯片RF指标
Bluetooth LE Connectivity：Bluetooth LE 5.1
支持数据传输速率：1 Mbps、2 Mbps、LR（500 kbps、125 kbps）
发射功率：–20 dBm ～ +7 dBm
96 dBm接收灵敏度（1 Mbps模式下）
–93 dBm接收灵敏度（2 Mbps模式下）
–99 dBm接收灵敏度（LR 500 kbps模式下）
–102 dBm接收灵敏度（LR 125 kbps模式下）
TX功耗：5.6 mA @ 0 dBm, 1 Mbps
RX功耗：4.8 mA @ 1 Mbps
GR5526系列芯片RF指标
Bluetooth LE Connectivity：Bluetooth LE 5.3
支持数据传输速率：1 Mbps、2 Mbps、LR（500 kbps、125 kbps）
发射功率：–20 dBm ～ +7 dBm
–98 dBm接收灵敏度（1 Mbps模式下）
–94 dBm接收灵敏度（2 Mbps模式下）
–101 dBm接收灵敏度（LR 500 kbps模式下）
–104 dBm接收灵敏度（LR 125 kbps模式下）
TX功耗: 4.0 mA @ 0 dBm, 1 Mbps
RX功耗: 3.5 mA @ 1 Mbps
AoA/AoD、LE同步通道
GR5525系列芯片RF指标
Bluetooth LE Connectivity：Bluetooth LE 5.3
支持数据传输速率：1 Mbps、2 Mbps、LR（500 kbps、125 kbps）
发射功率：–20 dBm ～ +7 dBm
–97 dBm接收灵敏度（1 Mbps模式下）
–93 dBm接收灵敏度（2 Mbps模式下）
–101 dBm接收灵敏度（LR 500 kbps模式下）
–103 dBm接收灵敏度（LR 125 kbps模式下）
TX功耗：6.3 mA @ 0 dBm输出功率（64 MHz系统时钟）
RX功耗：5.3 mA @ 1 Mbps（64 MHz系统时钟）
GR533x系列芯片RF指标
Bluetooth LE Connectivity：Bluetooth LE 5.3
支持数据传输速率：1 Mbps、2 Mbps、LR（500 kbps、125 kbps）
发射功率： GR5330/GR5331：高达6 dBm GR5332：高达15 dBm
接收灵敏度：
GR5330/GR5331：–97.5 dBm @ 1 Mbps GR5332：–99 dBm @ 1 Mbps
GR5330/GR5331功耗 @ 3.3 V VBAT输入： TX功耗：3.8 mA @ 0 dBm输出功率（DC-DC供电、16 MHz系统时钟） RX功耗：4.7 mA @ 1 Mbps（DC-DC供电、16 MHz系统时钟）
GR5332功耗 @ 3.3 V VBAT： TX功耗：5.9 mA @ 0 dBm输出功率（DC-DC供电、16 MHz系统时钟） TX功耗：86.3 mA @ 15 dBm输出功率（SYS_LDO供电、64 MHz系统时钟） RX功耗：4.9 mA @ 1 Mbps（DC-DC供电、16MHz系统时钟）
2. GR5xx RF应用笔记
GR533x系列不同型号支持不同的PA类型，GR5332系列支持HPA（–10 dBm～+15 dBm）和SPA（–20 dBm～+5 dBm），GR5331/GR5330系列支持SPA（–20 dBm～+6 dBm）和UPA（–15 dBm～+2 dBm）。
GR5332系列使用HPA工作时，只能使用SYSLDO供电模式。
GR5331/GR5330仅使用UPA模式的情况下可以简化匹配BOM数量。
GR533x的RF PA介绍详情请参考《GR533x RF PA应用指南》。
RF端口匹配器件布局应遵循PCB设计要求，匹配网络中的元器件应尽可能地靠近RF引脚（即RF_RX与RF_TX），并将匹配网络的第一个元器件放置在离RF引脚不超过1 mm的位置。
RF走线尽可能短而直，如结构限制需要转弯，则转角处要求倒圆弧。禁止出现直角或小于90°夹角走线。
RF线优选走表层，避免打过孔换层，避免走线存在分支，RF走线下方必须保证完整参考地平面。RF走线与芯片Pin之间建议走渐变线，并且RF线宽尽量设计和匹配器件焊盘一致，避免由于元器件的焊盘宽度与走线宽度不一致而破坏50 Ω传输线特性阻抗的连续性。
DCDC纹波对RF性能影响较大，不合理的DCDC接地回路会影响RF性能指标，建议按照设计指南要求合理设计DCDC外围器件布局，尽可能减小接地回路路径，将DCDC纹波控制在小于16 mV。
RF指标需要校准晶体后再进行测试。